Tổng quan
IC660BBA101 là một Khối Đầu vào RTD từ dòng Genius I/O của GE Fanuc. Nó giám sát các đầu vào nhiệt độ từ cảm biến RTD. Sau đó, nó gửi dữ liệu đã được hiệu chuẩn và tuyến tính hóa đến hệ thống điều khiển. Mô-đun này hỗ trợ đo nhiệt độ chính xác trong tự động hóa công nghiệp. Thiết kế của nó bao gồm cách ly giữa các nhóm đầu vào và các khối để đảm bảo an toàn. Mô-đun cũng có các đèn LED trạng thái chỉ báo tình trạng thiết bị và trạng thái I/O.
Thông số kỹ thuật
-
Mẫu mã: IC660BBA101
-
Nhà sản xuất: GE Fanuc
-
Dòng sản phẩm: Genius I/O
-
Chức năng: Khối Đầu vào RTD
-
Điện áp định mức: 115 VAC / 125 VDC
-
Số lượng đầu vào: 6 đầu vào RTD trong 3 nhóm cách ly gồm 2 mạch
-
Phạm vi điện trở đầu vào: 0 đến 5000 Ohm
-
Loại RTD hỗ trợ: Bạch kim (DIN 43760), Niken, Đồng
-
Độ phân giải đầu vào: 0.1°C
-
Tần số cập nhật: 400 ms, 800 ms, hoặc 1600 ms có thể chọn
-
Tỏa nhiệt: 7 Watt
-
Cách ly nhóm với nhóm: 300 Volt
-
Cách ly khối với khối: 1500 Volt
-
Kích thước (CxRxS): 8.83 × 3.34 × 3.91 inch
-
Trọng lượng: 1.8 kg